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Simulado Pesquisador - Engenharia Eletrônica | CONCURSO

Simulado Pesquisador - Engenharia Eletrônica

Simulado Pesquisador - Engenharia Eletrônica

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Este Simulado Pesquisador - Engenharia Eletrônica foi elaborado da seguinte forma:

  • Categoria: Concurso
  • Instituição: Diversas
  • Cargo: Pesquisador - Engenharia Eletrônica
  • Matéria: Diversas
  • Assuntos do Simulado: Diversos
  • Banca Organizadora: Diversas
  • Quantidade de Questões: 5
  • Tempo do Simulado: 15 minutos

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REGRA DO SIMULADO

Para realizar este simulado, que é gratuito, você apenas precisara criar no botão Iniciar logo abaixo e realizar um breve cadastro (apenas apelido e e-mail) para que assim você possa participar do Ranking do Simulado.

 

Por falar em Ranking, todos os nossos simulados contém um ranking, assim você saberá como esta indo em seus estudos e ainda poderá comparar sua nota com a dos seus concorrentes.

 

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Questões Pesquisador - Engenharia Eletrônica

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#258434
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(1,0) 1 - 

Assinale a opção correta com relação aos materiais isolantes, condutores e semicondutores.

  • a) Todo material semicondutor é isolante à temperatura de 0 K, logo, todo material isolante será semicondutor para temperaturas maiores que 0 K.
  • b) A condutividade de um material condutor é função das concentrações e das mobilidades de seus dois tipos de portadores: elétrons e lacunas.
  • c) O tamanho da região de energia proibida é maior no material semicondutor que no material condutor.
  • d) A constante de proporcionalidade entre a densidade de fluxo elétrico e o campo elétrico é chamada de permissividade elétrica.
  • e) A junção entre um material condutor (por exemplo, um metal) e um material isolante é conhecida como junção Schottky.
#258435
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(1,0) 2 - 

Considerando que uma barra semicondutora de comprimento L, largura w e espessura s seja percorrida por uma corrente elétrica no sentido do comprimento, que está posicionado na direção x, e esteja sujeita a um campo magnético perpendicular aplicado na direção z, assinale a opção correta.

  • a) A diferença de potencial entre os dois lados da barra é zero.
  • b) Se a barra semicondutora for do tipo N, aparecerá uma força magnética na direção negativa de y atuando sobre os portadores de carga.
  • c) Quando as forças elétricas e magnéticas que atuam sobre os portadores de carga se igualarem, aparecerá uma diferença de potencial constante entre os lados da barra, que é conhecida como tensão Hall.
  • d) A intensidade do campo magnético aplicado não influencia no valor da tensão Hall.
  • e) A polaridade da tensão Hall é a mesma para a barra semicondutora do tipo N e para a barra semicondutora do tipo P.
#258436
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(1,0) 3 - 

Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.

  • a) Em um transistor do tipo enriquecimento, NMOS, deve ser aplicada uma diferença de potencial negativa entre porta e fonte para que seja induzido um canal N.
  • b) No transistor MOS, o substrato deve ser fortemente dopado, e a fonte e o dreno devem ser levemente dopados.
  • c) O transistor MOS, quando é usado como amplificador linear, deve ser operado na região de triodo.
  • d) No transistor NMOS do tipo enriquecimento, o corpo é composto por material tipo P.
  • e) Por usar um canal induzido, o transistor NMOS tem impedância de entrada muito menor que a do transistor bipolar.
#258437
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(1,0) 4 - 

Deve-se projetar e construir um sistema de medição para um sinal com amplitude muito pequena, da ordem de décimos de milivolt, gerado por um sensor. Esse sistema contará com um circuito de condicionamento e aquisição, que digitalizará o sinal para posterior armazenamento em um computador. Um amplificador de diferenças, o primeiro elemento do circuito de condicionamento, será conectado ao sensor por um par de fios relativamente longo.
Com relação a essa situação hipotética, assinale a opção correta.

  • a) Para minimizar interferência de modo comum, o amplificador de diferença deverá ter um CMRR (common mode rejection ratio ) menor que 1dB.
  • b) O dois fios que conectarão o sensor às entradas inversora e não inversora do amplificador de diferenças devem ser posicionados de maneira a formarem uma espira, com grande área, afim de minimizar possíveis interferências por indução eletromagnética.
  • c) Para diminuir a interferência do circuito digital no circuito analógico, é importante que os terras das partes analógica e digital do sistema sejam distintos, e a malha de terra analógico não deve se conectar em nenhum ponto com a malha de terra digital.
  • d) Se o sensor tiver impedância de saída alta e variável, a impedância de entrada do amplificador de diferenças deverá ser muito maior que a impedância de saída do sensor.
  • e) Uma possível forma de reduzir a interferência eletromagnética externa no circuito de medição é cobrindo-o com uma blindagem metálica, que, para ter maior eficácia, não deve ser aterrada ou mesmo conectada ao terra do circuito.
#258438
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(1,0) 5 - 

Com relação à norma regulamentadora n.º 33 (NR-33), que trata de segurança e saúde nos trabalhos em espaços confinados, assinale a opção correta.

  • a) O disposto na NR-33 é de cumprimento facultativo, mas altamente recomendável pelos empregadores.
  • b) Espaço confinado é qualquer área ou ambiente projetado para ocupação humana contínua cuja ventilação existente é suficiente para remover contaminantes e onde haja suficiência de oxigênio.
  • c) Uma das medidas recomendadas pela referida norma para espaços confinados é o uso preferencial de ventilação com oxigênio puro.
  • d) Cabe ao empregador interromper todo e qualquer tipo de trabalho em caso de suspeição de condição de risco grave e iminente, procedendo ao imediato abandono do local.
  • e) De acordo com a norma NR-33, é opcional, mas recomendável, que todos os trabalhadores autorizados e vigias recebam capacitação periodicamente a cada dois anos.