Simulado Engenharia Eletrônica | CONCURSO
Simulado Engenharia Eletrônica
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Este Simulado Engenharia Eletrônica foi elaborado da seguinte forma:
- Categoria: Concurso
- Instituição:
Diversas - Cargo: Diversos
- Matéria: Engenharia Eletrônica
- Assuntos do Simulado: Diversos
- Banca Organizadora: Diversas
- Quantidade de Questões: 10
- Tempo do Simulado: 30 minutos
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REGRA DO SIMULADO
Para realizar este simulado, que é gratuito, você apenas precisara criar no botão Iniciar logo abaixo e realizar um breve cadastro (apenas apelido e e-mail) para que assim você possa participar do Ranking do Simulado.
Por falar em Ranking, todos os nossos simulados contém um ranking, assim você saberá como esta indo em seus estudos e ainda poderá comparar sua nota com a dos seus concorrentes.
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Questões Engenharia Eletrônica
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Boa sorte e Bons Estudos,
ConcursosAZ - Aprovando de A a Z
- #213912
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- Engenharia Eletrônica Diversas
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(1,0) 1 -
A tensão de saída no inversor nem sempre é puramente senoidal a uma única frequência.
- #213913
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- Certo/Errado
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(1,0) 2 -
Esse conversor pode ser construído com resistores lineares e amplificador operacional.
- #213914
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(1,0) 3 -
Uma rede composta somente por resistores não pode ser utilizada para a construção do conversor, ainda que seja um conversor simples de 2 bits.
- #213915
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(1,0) 4 -
Considere as variáveis booleanas A, B e C. A expressão booleana mínima, na forma soma de produtos, equivalente a (A + B).(A + C) é (A + BC).
- #213916
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-
Simulado Engenharia Eletrônica + TEXTO 4
Considerando a figura acima, que mostra o diagrama lógico de
uma célula de memória RAM construída a partir de flip-flop,
julgue os itens subsequentes.
(1,0) 5 -
Esse diagrama lógico refere-se a uma célula de memória RAM estática de 4 bits.
- #213917
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Simulado Engenharia Eletrônica + TEXTO 5
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
(1,0) 6 -
A figura I mostra um transistor do tipo canal P, enquanto a figura II ilustra um transistor do tipo canal N.
- #213918
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Simulado Engenharia Eletrônica + TEXTO 5
As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
(1,0) 7 -
Ao contrário de um transistor bipolar, um transistor MOS-FET não pode ser polarizado para atuar como uma chave aberta ou fechada.
- #213919
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Simulado Engenharia Eletrônica + TEXTO 6
Se um sistema dinâmico linear tem função de transferência dada
por
então esse sistema
(1,0) 8 -
apresenta um polo com multiplicidade 2.
- #213920
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Simulado Engenharia Eletrônica + TEXTO 6
Se um sistema dinâmico linear tem função de transferência dada
porentão esse sistema
(1,0) 9 -
tem, em regime permanente, resposta ao impulso não-nula.
- #213921
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Simulado Engenharia Eletrônica + TEXTO 6
Considerando a figura acima, que mostra o esquema básico de
uma EPROM (erasable programmable read-only memory),
cuja estrutura segue o padrão 2Kx8, julgue os itens a seguir.
(1,0) 100 -
Nesse dispositivo são necessárias, no máximo, 10 barras de endereço.